研究目的
研究封装工艺和温度对碳化硅肖特基二极管特性的影响。
研究成果
高温工艺操作和自热现象会显著影响碳化硅肖特基二极管的直流特性。定制封装可实现内部温度超过350°C的运行，证明了其在高温应用中的有效性。
研究不足
该研究仅限于华沙理工大学实验室结构的碳化硅肖特基二极管及特定封装形式；其结论对其他类型二极管或封装方法的普适性可能受限。
封装工艺和温度对碳化硅肖特基二极管特性的影响
DOI：10.1109/TCPMT.2019.2894970
期刊：IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology
出版年份：2019
更新时间：2026-01-09 18:45:13
摘要：
论文中展示了关于碳化硅肖特基二极管实验室结构的研究成果。特别关注了华沙理工大学研发的封装工艺对二极管结构安装过程的影响，以及环境温度和自热效应对被测二极管直流特性的影响。研究表明，高温工艺操作会影响这些二极管的特性曲线，而自热效应会显著改变所研究器件的特性形状。同时测量了这些二极管的热参数。实验数据证明，作者设计的封装结构能使被测二极管在超过350°C的内部温度下正常工作。
作者：
Pawel Gorecki，Marcin Mysliwiec，Krzysztof Gorecki，Ryszard Kisiel
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