研究目的
研究碳间隙原子从SiO₂/4H-SiC(0001)界面的扩散动力学及其对器件性能退化的影响。
研究成果
与体相迁移相比，从SiO₂/4H-SiC(0001)界面注入碳间隙原子存在额外1电子伏特的势垒，这表明氧化过程中间隙原子注入减少，可能缓解器件退化。未来研究应聚焦于实验验证及探索其他缺陷动力学。
研究不足
该研究仅限于采用密度泛函理论进行计算建模，可能无法完全反映实际实验条件或复杂的缺陷相互作用。潜在的优化方向包括实验验证或采用更先进的计算方法。
[IEEE 2018国际半导体会议（CAS）- 锡纳亚（2018.10.10-2018.10.12）] 2018年国际半导体会议（CAS）- 研究SiO₂/4H-SiC(0001)界面附近的碳间隙原子
DOI：10.1109/SMICND.2018.8539842
出版年份：2018
更新时间：2026-01-09 18:45:08
摘要：
本征缺陷（包括碳空位和间隙原子）被认为是影响器件性能的重要缺陷。特别是在氧化形成SiO2介电层的过程中，碳间隙原子被认为会注入到SiC沟道中。通过密度泛函理论，我们研究了间隙原子从SiO2/4H-SiC(0001)界面扩散的动力学过程。结果表明：与体相4H-SiC中本征缺陷的迁移势垒相比，碳间隙原子从4H-SiC-SiO2界面位点注入时需要额外克服1电子伏特的能垒。
作者：
Hind Alsnani，JP Goss，Oras Al-Ani，SH Olsen，PR Briddon，MJ Rayson，AB Horsfall
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