一款集成平面空间功率合成器的220 GHz InP DHBT功率放大器

1：实验设计与方法选择：

研究包括设计和测试背靠背四路IPS合路器原型，以测量插入损耗和端口间隔离度。随后将该IPS合路器集成到基于0.5微米工艺的四路六级共发射极InP双异质结双极晶体管（DHBT）放大器中。设计重点在于紧凑的电路布局以提升性能。

2：5微米工艺的四路六级共发射极InP双异质结双极晶体管（DHBT）放大器中。设计重点在于紧凑的电路布局以提升性能。 样本选择与数据来源：

2. 样本选择与数据来源：样本包括IPS合路器原型和使用0.5微米工艺制造的InP DHBT放大器。数据来源于插入损耗和输出功率的测量结果。

3：5微米工艺制造的InP DHBT放大器。数据来源于插入损耗和输出功率的测量结果。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：设备包括用于测量插入损耗（如网络分析仪）和输出功率（如功率计）的仪器。材料涉及InP DHBT晶体管和IPS合路器组件。

4：实验步骤与操作流程：

首先测量IPS合路器在220至260 GHz范围内的插入损耗。然后将合路器集成到放大器中，评估输出功率和功率密度。工作流程包括制造、组装和测试阶段。

5：数据分析方法：

数据分析包括将测量的插入损耗和输出功率密度与其他使用相同InP HBT技术的TMIC进行比较。通过统计比较评估改进情况。