研究目的
研究p-GaN HEMT器件在正向栅极击穿后OFF态漏极阻断能力的保持情况。
研究成果
该器件展现出最先进的特性，包括高阈值电压、大最大漏极电流、低比导通电阻以及高击穿电压，并且由于金属/p-GaN接触区域减小，在栅极击穿后仍能保持关态漏极阻断能力。
具有栅极击穿后关态阻断能力的高压p-GaN HEMT
DOI：10.1109/LED.2019.2897694
期刊：IEEE Electron Device Letters
出版年份：2019
更新时间：2026-01-09 18:44:57
摘要：
本文报道了硅基高性能p-GaN HEMT器件及其稳健的栅极操作特性。我们首次证明了p-GaN HEMT在正向栅极击穿后仍能保持关态漏极阻断能力。得益于金属/p-GaN接触区域的减小，栅极击穿被限制在金属/p-GaN结处发生，而p-GaN/AlGaN/GaN结保持完好。该器件展现出先进水平特性：在100 A/mm漏极电流（线性外推为2.3 V）时具有1.75 V的高阈值电压，在8 V栅源电压下获得610 mA/mm的最大漏极电流，比导通电阻低至1.8 mΩ·cm²，以及在接地衬底条件下以1 A/mm漏极电流定义的1100 V高击穿电压。
作者：
Huaxing Jiang，Renqiang Zhu，Qifeng Lyu，Kei May Lau
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