通过多尺度、多技术表征研究多晶CIGS器件中的PID分流现象

DOI:10.1109/JPHOTOV.2019.2892874 期刊:IEEE Journal of Photovoltaics 出版年份:2019 更新时间:2026-01-09 18:44:49
摘要: 我们研究了实验室中受应力作用的铜铟镓硒(CIGS)迷你组件中的电势诱导衰减(PID)现象。从组件中截取小块核心区域进行分析,通过飞行时间二次离子质谱成像技术完成了阴极荧光与钠含量关联性的概念验证研究。通过对比受应力和未受应力CIGS迷你组件的一维深度剖析结果与三维断层扫描结果,发现CIGS的PID源于钠通过吸收层迁移,最可能的途径是晶界。在施加温湿度应力时添加电压偏置,钾浓度分布几乎无变化。这表明采用铯、铷等其他大尺寸碱金属离子(而非钠)进行掺杂,可提高CIGS组件的抗PID性能。
作者: Steven P. Harvey,Harvey Guthrey,Christopher P. Muzzillo,Glenn Teeter,Lorelle Mansfield,Peter Hacke,Steve Johnston,Mowafak Al-Jassim
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研究CuIn1-xGaxSe2(CIGS)迷你组件中的潜在诱导衰减(PID),以了解衰减机制并找出提高抗PID能力的方法。

铜铟镓硒(CIGS)中的电位诱导衰减(PID)现象源于钠离子通过吸收层迁移,该过程很可能经由晶界发生。采用铯、铷等其他大尺寸碱金属离子替代钠进行掺杂,可增强抗PID性能。

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