[IEEE 2018第四届器件、电路与系统国际会议(ICDCS) - 印度科因巴托尔(2018.3.16-2018.3.17)] 2018第四届器件、电路与系统国际会议(ICDCS) - 面向性能优化的Si/Si0.6Ge0.4/InAs三维鳍式隧穿场效应晶体管对比研究

1：实验设计与方法选择：

本研究通过采用不同带隙材料（以HfO2为介质进行电学分析），对3D鳍式隧穿场效应晶体管（3D-fin-TFET）结构开展对比研究。设计原理是通过改变源区材料（Si/Si0.6Ge0.4/InAs）来优化器件性能。

2：6Ge4/InAs）来优化器件性能。 样本选择与数据来源：

2. 样本选择与数据来源：样本为模拟的TFET结构，其源区材料分别为Si、Si0.6Ge0.4和InAs，其余部分均为Si材料。

3：6Ge4和InAs，其余部分均为Si材料。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：所用材料包括Si、Si0.6Ge0.4、InAs及HfO2介质。未提及具体实验设备或仪器。

4：6GeInAs及HfO2介质。未提及具体实验设备或仪器。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：通过模拟不同源区材料的TFET结构，提取直流特性参数（如驱动电流、亚阈值摆幅、跨导、输出阻抗、本征增益）和射频指标（如单位增益截止频率、最大振荡频率）。

5：数据分析方法：

分析内容包括提取驱动电流、亚阈值摆幅等电学参数及频率指标，可能采用仿真工具（未具体说明）。