外尔半金属中的古斯-汉欣效应和因伯特-费多罗夫效应

1：实验设计与方法选择：

建立理论模型描述外尔半金属界面的古斯-汉欣位移和伊姆位移，考虑反射场中由霍尔电导引起的交叉分量。利用菲涅尔方程和边界条件推导反射系数。

2：样品选择与数据来源：

模型采用外尔半金属参数（如厚度d=20纳米、费米速度vF=1×10^6米/秒、晶格常数a=10埃），并假设衬底折射率n=1.5。光学电导率通过久保公式计算。

3：5。光学电导率通过久保公式计算。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：使用波长λ=633纳米、束腰w0=10微米的单色高斯光束。界面涉及空气、衬底上的外尔半金属。

4：实验步骤与操作流程：

入射光束照射界面，将反射系数展开为横向波矢分量的多项式。通过傅里叶变换和傍轴近似分析反射场以计算位移。

5：数据分析方法：

基于坡印廷矢量和强度分布的质心位移公式计算古斯-汉欣位移和伊姆位移，通过参数图研究对外尔点间距b的敏感性。