选定Ge II谱线的斯塔克展宽与位移

1：实验设计与方法选择：

实验采用氦气低压环境（0.1-200毫巴）中的激光诱导等离子体（LIP）研究斯塔克展宽与偏移。该设计确保最小化多普勒分裂和自吸收效应，通过CCD相机以成像模式侧向记录光谱。应用逆阿贝尔变换处理不同径向位置的光谱，实现单幅图像的斯塔克偏移测量。电子密度通过He I 447纳米谱线测定，电子温度则采用萨哈-玻尔兹曼关系计算。谱线轮廓采用非对称伪沃伊特函数拟合，并通过傅里叶变换解卷积消除仪器和多普勒展宽影响。

2：1-200毫巴）中的激光诱导等离子体（LIP）研究斯塔克展宽与偏移。该设计确保最小化多普勒分裂和自吸收效应，通过CCD相机以成像模式侧向记录光谱。应用逆阿贝尔变换处理不同径向位置的光谱，实现单幅图像的斯塔克偏移测量。电子密度通过He I 447纳米谱线测定，电子温度则采用萨哈-玻尔兹曼关系计算。谱线轮廓采用非对称伪沃伊特函数拟合，并通过傅里叶变换解卷积消除仪器和多普勒展宽影响。 样品选择与数据来源：

2. 样品选择与数据来源：使用平面锗样品置于自制腔室中。在特定参数条件下记录光谱（如距靶材1.3毫米、200毫巴气压、470纳秒延迟、30纳秒曝光时间）。数据包含11条Ge II谱线，其跃迁概率引自NIST（2018年）数据库。

3：3毫米、200毫巴气压、470纳秒延迟、30纳秒曝光时间）。数据包含11条Ge II谱线，其跃迁概率引自NIST（2018年）数据库。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：设备包括Nd:YAG激光器（532纳米波长，5纳秒脉宽，1赫兹重复频率）、自制腔室、计算机控制xyz平移台、Andor DH740-18F-03 iStar增强型CCD相机（-20°C制冷）、McPherson 209型光谱仪（1.33米焦距，2400线/毫米全息光栅）及氦气。材料为锗样品。

4：33米焦距，2400线/毫米全息光栅）及氦气。材料为锗样品。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：激光脉冲激发锗样品产生等离子体。通过CCD相机成像模式侧向记录光谱。优化氦气压力、延迟时间和距离等参数以控制膨胀速度并最小化自吸收。应用逆阿贝尔变换获取不同径向位置的光谱。电子密度通过He I 447纳米谱线峰间距测定，电子温度采用Ge I和Ge II谱线的萨哈-玻尔兹曼图估算。对谱线轮廓进行解卷积和拟合以提取斯塔克宽度与偏移量。

5：数据分析方法：

数据分析包含空间分辨的逆阿贝尔变换、消除仪器和多普勒展宽的傅里叶变换解卷积，以及非对称伪沃伊特函数拟合确定半高宽、偏移量和不对称性。通过电子密度归一化和标准差计算评估不确定度，现有数据的对比采用斯塔克宽度比值法。