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掺杂硅酸镧氧磷灰石六角片状晶体的熔盐法生长

DOI:10.2109/jcersj2.18174 期刊:Journal of the Ceramic Society of Japan 出版年份:2019 更新时间:2026-01-09 18:43:24
摘要: 我们首次成功制备了掺钾和氟的硅酸镧氧磷灰石片状晶体,该晶体采用高温溶液法并以氟化钾为溶剂进行生长。通过显微镜观察、能量色散X射线光谱、电子探针微分析(EPMA)和X射线衍射(XRD)对晶体进行了表征。EPMA测定的原子组成显示La、Si和F的原子数(N)之间存在显著相关性,可用两条线性方程精确描述:NLa = 17.52 + 1.426NSi 和 NF = -1.20 + 0.243NSi,由此推导出通用化学式[La8.964+1.426xK0.850-0.035x]9.814+1.391x[Si6-x□x]6[O25.742+0.243xF0.258-0.243x]26(0≤x≤0.134),其中x表示由□标识的硅空位量。基于单晶XRD数据,我们对其中一个晶粒的晶体结构进行了精修,最终确定其化学式为[La9.11K0.85]9.96[Si5.90□0.10]6[O25.77F0.23]26(x=0.10)。钾离子和氟离子分别优先占据晶格中的La位和氧(通道氧离子)位,硅位存在约1.7%的空缺。由于这些片状晶体具有发育良好的{001}晶面和较高长径比,可作为制备c轴取向多晶的优质模板。
作者: Koichiro FUKUDA,Yuki TSUNODA,Daisuke URUSHIHARA,Toru ASAKA,Hideto YOSHIDA
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研究概述 实验方案 设备清单

制备掺钾和氟的硅酸镧氧磷灰石(LSO)薄片状晶体,用作模板晶粒生长(TGG)法中的模板颗粒,以合成具有高c轴取向性和增强氧化物离子导电性的多晶材料。

该研究首次成功制备了掺杂K2O和F的LSO薄片状晶体,确立了通用化学式并优化了晶体结构。这些晶体具有高长径比和发育良好的{001}晶面,适合作为TGG法中c轴取向多晶的模板。未来工作可探究控制形貌的确切因素,并优化模板应用条件。

片状晶体形态的成因尚不明确,可能受生长温度和氟元素存在的影响,但尚未完全阐明。晶体间的化学差异可能源于非均质生长环境,且本研究仅限于KF助熔剂法,未与其他溶剂或条件进行对比。

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