CoPc和CoPcF₁₆在石墨烯/镍上的界面特性：锗插层的影响

1：实验设计与方法选择：

本研究采用光电子能谱（XPS和UPS）探究电子界面特性。在Ni(111)基底上合成石墨烯并插入锗元素，沉积有机分子（CoPc和CoPcF16），通过核心能级谱、价带谱及能级排列分析其相互作用。

2：样品选择与数据来源：

以Ni(111)单晶为基底。通过530°C丙烯暴露生长石墨烯，锗经蒸发后退火插入。有机分子蒸发沉积于基底。数据采集自XPS、UPS和AFM测量。

3：实验设备与材料清单：

Ni(111)单晶、丙烯（99.5%，Westfalen AG）、锗粉、CoPc与CoPcF16（Sigma-Aldrich）、EFM 3s电子束蒸发器（Focus GmbH）、Omicron半球分析仪（EA 125）、X射线管（Omicron DAR 400）、氦放电灯（Leybold-Hereaus UVS10/35）、MultiMode原子力显微镜（Bruker）。

4：5%，Westfalen AG）、锗粉、CoPc与CoPcF16（Sigma-Aldrich）、EFM 3s电子束蒸发器（Focus GmbH）、Omicron半球分析仪（EA 125）、X射线管（Omicron DAR 400）、氦放电灯（Leybold-Hereaus UVS10/35）、MultiMode原子力显微镜（Bruker）。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：Ni(111)晶体经Ar+离子溅射和退火清洁，在丙烯气氛中加热生长石墨烯。锗经蒸发后450°C退火插入，有机分子以受控速率蒸发。XPS和UPS谱在正发射模式记录，退火插入后空气环境下进行AFM检测。

5：数据分析方法：

XPS谱峰拟合使用Unifit软件，功函数与HOMO位置由UPS谱确定，层厚度通过XPS强度比估算，AFM数据采用Gwyddion软件分析。