PbSnTe(In)薄膜在低温下持续光电导的傅里叶变换光谱研究

1：实验设计与方法选择：

本研究采用傅里叶变换光谱仪测量低温下Pb1–xSnxTe(In)薄膜的光电导谱。通过甚高频(VHF)无线电脉冲(100-200 MHz)猝灭延迟光电导的技术实现光谱测量。光谱仪以步进扫描模式运行，将光响应数字化与猝灭脉冲同步。

2：样品选择与数据来源：

在BaF2衬底上采用热壁外延法沉积x=0.25和0.5 mol.% InTe的Pb1–xSnxTe(In)薄膜。薄膜厚度50 μm，样品尺寸2×3 mm。测试了包括暗态和光照条件下的电阻测量等电学特性。

3：25和5 mol.% InTe的Pb1–xSnxTe(In)薄膜。薄膜厚度50 μm，样品尺寸2×3 mm。测试了包括暗态和光照条件下的电阻测量等电学特性。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：设备包括布鲁克Vertex 70v傅里叶光谱仪、牛津仪器OptistatCF流动恒温器、硅碳棒辐射源、聚酯薄膜多层分束器、聚丙烯和聚酯恒温器窗口、黑色聚乙烯冷滤光片、用于电阻测量的吉时利2400源表、温度测定的热电偶以及铟电极接触。材料包含Pb1–xSnxTe(In)薄膜、BaF2衬底和铟接触材料。

4：实验流程与操作步骤：

样品置于光谱仪内的恒温器中。高温测量(T>24 K)直接获取光电导谱；低温延迟光电导测量(T<24 K)施加VHF脉冲(2 V幅值，90 μs脉宽，10 Hz重复频率)猝灭光电导。固定反射镜位置记录光响应动力学曲线，通过干涉图傅里叶变换获得光谱。温度范围5-40 K。

5：数据分析方法：

分析光电导谱识别带间吸收带及其红端截止边界。将带隙温度依赖性与经验公式对比，从材料特性和猝灭效应角度解释光谱特征。