对映纯与外消旋萘二酰亚胺基n型有机半导体:对电荷传输的影响

DOI:10.1039/C8TC06273K 期刊:Journal of Materials Chemistry C 出版年份:2019 更新时间:2026-01-09 18:41:59
摘要: 手性烷基链被广泛用于确保溶液加工型有机半导体(OSCs)的溶解性,而单一材料中多种立体异构体混合产生的本征缺陷常被忽视。本研究通过在核心扩展萘二酰亚胺(NDI-DTYM2)分子主链引入光学纯侧基,设计合成了对映纯半导体材料(1-R/1-S)及相应外消旋体(1-rac),以探究对映纯与外消旋OSCs对有机场效应晶体管(OFETs)电荷传输的影响。研究发现:仅需将活性层材料从外消旋形式转变为对映纯形式,溶液加工型OFETs的电子迁移率即可提升2-4倍(未退火器件从0.15 cm² V⁻¹ s⁻¹增至0.6 cm² V⁻¹ s⁻¹,热退火器件从0.42 cm² V⁻¹ s⁻¹增至0.98 cm² V⁻¹ s⁻¹)。通过掠入射广角X射线散射(GIWAXS)、原子力显微镜(AFM)等技术分析1-R、1-S和1-rac的结晶性、分子微观排列及薄膜形貌,证实外消旋材料(1-rac)较低的迁移率可能源于不同晶畴间的界面缺陷及分子堆积的细微变化。
作者: Ming Chen,Jing Li,Xuechen Jiao,Xiaochun Yang,Wenting Wu,Christopher R. McNeill,Xike Gao
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研究手性纯和对映体混合物形式的核扩展萘二酰亚胺基n型有机半导体对有机场效应晶体管中电荷传输特性的影响。

基于NDI的有机半导体材料(1-R和1-S对映纯形式)在场效应晶体管中表现出比外消旋形式(1-rac)显著更高的电子迁移率(2-4倍),这归因于其具有更少缺陷的优异薄膜形貌及分子堆积的细微差异。该研究凸显了对映纯度对优化有机半导体电荷传输的重要性,为通过光学纯侧链实现更高迁移率提供了途径。

由于长烷基链的影响,未能获得适用于X射线结构测定的1-R、1-S或1-rac单晶,限制了直接的结构认知;依赖GIWAXS和模型分子进行堆积分析;合成与加工条件的差异可能导致薄膜质量和器件性能的变化。

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