具有晶格匹配的AlIn(Ga)N背势垒的AlGaN/GaN异质结构的生长
作者：
Jeong-Gil Kim，Seung-Hyeon Kang，Łukasz Janicki，Jun-Hyeok Lee，Jeong-Min Ju，Kyung-Wan Kim，Yong-Soo Lee，Sang-Heung Lee，Jong-Won Lim，Ho-Sang Kwon，Jung-Hee Lee
机构：
韩国庆北国立大学电子工程学院，波兰弗罗茨瓦夫科技大学基础技术问题学院，韩国电子通信研究院，韩国国防发展局
发布年份：
2018年
更新时间：
2025-04-03 11:19:52
关键词：
AlGaN/GaN异质结构,AlIn(Ga)N背势垒,MOCVD,HEMT
摘要：
AlGaN/GaN异质结构成功地在900°C下生长了具有AlIn(Ga)N背势垒的结构。然而，AlIn(Ga)N层的原子组成强烈依赖于生长压力，这导致了层的晶格常数的不同。在400托的生长压力下，AlIn(Ga)N背势垒几乎与GaN层晶格匹配。与没有背势垒的传统AlGaN/GaN异质结构相比，具有10和15纳米厚AlIn(Ga)N背势垒的AlGaN/GaN异质结构表现出改进的二维电子气（2-DEG）特性。在具有15纳米厚AlIn(Ga)N背势垒的AlGaN/GaN异质结构上制造的高电子迁移率晶体管（HEMTs）表现出非常低的关态漏电流，约为2 x 10^-7 A/mm，比没有背势垒的器件低了一个数量级。AlIn(Ga)N背势垒是传统AlGaN和InGaN背势垒的有前途的替代品。
结论：
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实验方法及产品解析：
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名称
分类
制造商
PDF资料
参数
描述
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DG数字消磁装置
能量和功率传感器
Twinleaf LLC
2: 2
脉冲宽度: 10ns
DG 通过施加振荡磁场使材料达到饱和，然后缓慢地将振荡幅度降至零，从而自动化磁屏蔽消磁过程。
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LAM300原子磁力计
能量和功率传感器
成都量视科技有限公司
灵敏度: <20fT/√Hz
动态范围: ±5nT
测量轴: Z轴、Y轴
LAM300原子磁力计是一种基于原子自旋交换技术的超高灵敏度磁场探测仪器，其通过原子自旋的精确控制，能够测量极为微弱的磁场变化，灵敏度高达fT/√Hz级别，为地磁场强度的几十亿分之一。
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MS-2 磁屏蔽
能量和功率传感器
Twinleaf LLC
屏蔽系数: 10⁶
磁噪声: 10 fT/Hz1/2
内部 3 轴磁场线圈: X/Y coil:
Calibration: 0.576 G/A = 57.6 nT/mA
Inductance: 33 µH
Z coil:
Calibration: 1.50 G/A = 150 nT/mA
Inductance: 140 µH
MS-2 磁屏蔽是精密磁场控制的理想系统。它提供多层高磁导率金属屏蔽以降低环境磁场噪声，并具有内部场线圈系统，可精确控制屏蔽体中心的磁场。
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MS-1LF 磁屏蔽
能量和功率传感器
Twinleaf LLC
内部3轴磁场线圈: X/Y 线圈
校准：0.81 G/A = 81 nT/mA
电感：22 μH
Z 线圈
校准：1.06 G/A = 106 nT/mA
电感：20 μH
内部梯度场线围: dZ/dz：4.02 nT/cm/mA
dZ/dy：3.55 nT/cm/mA
dZ/dx：3.55 nT/cm/mA
dY/dx：4.24 nT/cm/mA
dY/dy：5.18 nT/cm/mA
内部 Z轴二阶梯度线圈: d²Z/dz²：1.06 nT/cm²/mA
MS-1LF 磁屏蔽为超精密磁场测试和测量提供最低的室温磁噪声环境。它提供多层高磁导率金属屏蔽层以降低环境磁噪声，内部铁氧体屏蔽层，并具有内部场线圈系统，以精确控制屏蔽体积中心的磁场。
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MS-1L 磁屏蔽器
能量和功率传感器
Twinleaf LLC
轴向孔: 30 mm dia.
接入孔: 15 mm dia. 8 radial & 2 on each endcap
质量: 8 kg
MS-1L 磁屏蔽器是一种用于精确磁场控制的出色而紧凑的系统。它提供多层高磁导率金属屏蔽以降低环境磁场噪声，并具有内部场线圈系统，可精确控制屏蔽体中心的磁场。
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