调节ZnSnN2的光致发光、导电机制和散射机制-光电查

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调节ZnSnN2的光致发光、导电机制和散射机制

作者： Xing-Min Cai，Bo Wang，Fan Ye，Karthikeyan Vaithinathan，Jun-Jie Zeng，Dong-Ping Zhang，Ping Fan，V.A.L. Roy

机构： 深圳大学物理与能源学院及深圳先进薄膜与应用重点实验室，香港城市大学材料科学与工程系

发布年份： 2018年

更新时间： 2025-04-03 11:19:52

关键词： ZnSnN2,杂质带导电,导带导电,光致发光,离子杂质散射

摘要：

高电子浓度和低迁移率限制了ZnSnN2在光催化和光电子器件中的潜在应用。本文通过在不同溅射压力下制备ZnSnN2薄膜，研究了其导电机制、散射机制和光致发光行为的变化。结果表明，低溅射压力下，由于残余蒸汽中的氧取代氮，导致杂质带导电、电子密度高于1020cm-3、迁移率为2 cm2 V-1 s-1，主要由变程跳跃主导。而高溅射压力下，由于取代氧掺杂的减少，观察到导带导电、电子密度为1019 cm-3、迁移率为24 cm2 V-1 s-1，受离子杂质散射限制，以及带间直接复合发光。

结论：

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实验方法及产品解析：

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