抑制添加剂在硫酸中选择性铜电沉积中的作用的电化学和原位SERS研究-光电查

抑制添加剂在硫酸中选择性铜电沉积中的作用的电化学和原位SERS研究

作者： Toshio Haba，Katsuyoshi Ikeda，Kohei Uosaki

机构： 日立有限公司技术创新中心 - 材料，名古屋工业大学工程物理、电子与机械系，日本材料科学研究所（NIMS）国际材料纳米构筑中心（WPI-MANA）

发布年份： 2018年

更新时间： 2025-04-03 11:19:52

关键词： 各向异性沉积,选择性沉积,铜电镀,过量沉积,铜互连

摘要：

通过线性扫描和循环伏安法以及原位表面增强拉曼散射（SERS）研究了抑制添加剂在选择性铜（Cu）沉积中的作用。研究发现，Basic Red 12的标准化SERS峰强度和Cu沉积电流均表现出滞后现象。这些结果表明，在Cu电沉积过程中，Basic Red 12在表面上解吸或分解。因此，Basic Red 12在图案区域的浓度比在平坦区域的浓度降低更多。这种浓度的不均匀性导致Cu在图案区域的优先生长。

结论：

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实验方法及产品解析：

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