M相VO2薄膜的相变温度（约68°C）可以通过将钨（W）掺杂到VO2的晶格中显著降低，这是由于V-V对相互作用强度的减弱。然而，W掺杂通常伴随着可见光透过率和太阳调制效率的严重降低，因为W掺杂剂会增加VO2薄膜的电子浓度。在此，采用同时引入W掺杂剂和介孔结构的方法制备VO2薄膜。研究发现，基于0.4 at% W掺杂的介孔VO2纳米晶体的复合薄膜表现出增强的综合热致变色性能，具有优异的太阳调制效率（ΔTsol = 11.4%）、适宜的可见光透过率（Tlum = 61.6%）和低相变温度（约43°C），远低于未掺杂VO2的65.3°C。研究表明，VO2的较低相变温度主要归因于W掺杂后晶格的丰富畸变，而介孔结构可以促进W掺杂剂在VO2纳米晶体中的均匀分布，增强可见光透过率，并保证复合薄膜中足够的VO2纳米晶体以保持相对较高的太阳调制效率。因此，该研究为平衡VO2薄膜热致变色性能的三个重要参数（ΔTsol、Tlum和Tc）提供了一种新方法，并可能促进VO2纳米晶体在节能窗中的应用。