电诱导VO2相变垂直结构的微纳米成像及退火效应

作者: Yifan Meng,Jingxin Sang,Zheng Liu,Xiaofeng Xu,Zhiyong Tan,Chunrui Wang,Binhe Wu,Chang Wang,Juncheng Cao,Xiaoshuang Chen
机构: 东华大学应用物理系,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
发布年份: 2018年
更新时间: 2025-04-03 11:19:52
关键词: 电诱导VO2 MIT的垂直结构,微纳米尺度电流成像,退火过程,VO2薄膜垂直结构,阈值开关电压
摘要:

研究了如何降低电诱导VO2绝缘体-金属相变(MIT)垂直结构的阈值开关电压(Vth)。通过结合电阻随温度变化、X射线光电子能谱测量和导电原子力显微镜的结果,确认了V3+是电诱导VO2薄膜MIT的重要因素。实验表明,随着在H2/N2混合气体中470℃退火时间从0分钟增加到2分钟,V3+含量增加,薄膜表面导电区域增加,薄膜电阻降低,最终导致阈值开关电压降低。然而,当退火时间过长(≥3分钟)时,VO2薄膜的阈值开关行为消失,电流随电压线性增加。

结论:
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实验方法及产品解析:
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