基于BiFeO3/ZnO异质结的光诱导负微分电阻在阻变存储器件中的应用
作者:
Pingping Zheng,Bai Sun,Yuanzheng Chen,Hosameldeen Elshekh,Tian Yu,Shuangsuo Mao,Shouhui Zhu,Hongyan Wang,Yong Zhao,Zhou Yu
机构:
西南交通大学物理科学与技术学院,福建师范大学物理与能源学院,四川大学物理科学与技术学院
发布年份:
2019年
更新时间:
2025-04-03 11:19:52
关键词:
光诱导,阻变存储器,负微分电阻,导电细丝,氧空位
摘要:
光诱导的材料新效应在具有多种物理特性的材料中具有重要的潜在应用,特别是在光电多功能电子器件中。本研究通过磁控溅射法制备了BiFeO3/ZnO双层薄膜,展示了在光照下阻变存储(RS)行为与负微分电阻(NDR)效应之间的显著光调制转换。通过理论分析和模拟计算,表明NDR效应可归因于BiFeO3/ZnO p-n异质结界面在光照下产生的内电场和高效分离的光生电子和空穴,而RS存储行为则可归因于氧空位辅助的Ag导电细丝的形成。本研究为制备具有光调制转换功能的多功能电子器件开辟了新途径,具有在光电双功能器件、电子信息和光量子计算机等领域的潜在应用。
结论:
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实验方法及产品解析:
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名称
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参数
描述
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DG数字消磁装置 能量和功率传感器 Twinleaf LLC
2: 2 脉冲宽度: 10ns
DG 通过施加振荡磁场使材料达到饱和,然后缓慢地将振荡幅度降至零,从而自动化磁屏蔽消磁过程。
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LAM300原子磁力计 能量和功率传感器 成都量视科技有限公司
灵敏度: <20fT/√Hz 动态范围: ±5nT 测量轴: Z轴、Y轴
LAM300原子磁力计是一种基于原子自旋交换技术的超高灵敏度磁场探测仪器,其通过原子自旋的精确控制,能够测量极为微弱的磁场变化,灵敏度高达fT/√Hz级别,为地磁场强度的几十亿分之一。
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MS-2 磁屏蔽 能量和功率传感器 Twinleaf LLC
屏蔽系数: 10⁶ 磁噪声: 10 fT/Hz1/2 内部 3 轴磁场线圈: X/Y coil: Calibration: 0.576 G/A = 57.6 nT/mA Inductance: 33 µH Z coil: Calibration: 1.50 G/A = 150 nT/mA Inductance: 140 µH
MS-2 磁屏蔽是精密磁场控制的理想系统。它提供多层高磁导率金属屏蔽以降低环境磁场噪声,并具有内部场线圈系统,可精确控制屏蔽体中心的磁场。
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MS-1LF 磁屏蔽 能量和功率传感器 Twinleaf LLC
内部3轴磁场线圈: X/Y 线圈 校准:0.81 G/A = 81 nT/mA 电感:22 μH Z 线圈 校准:1.06 G/A = 106 nT/mA 电感:20 μH 内部梯度场线围: dZ/dz:4.02 nT/cm/mA dZ/dy:3.55 nT/cm/mA dZ/dx:3.55 nT/cm/mA dY/dx:4.24 nT/cm/mA dY/dy:5.18 nT/cm/mA 内部 Z轴二阶梯度线圈: d²Z/dz²:1.06 nT/cm²/mA
MS-1LF 磁屏蔽为超精密磁场测试和测量提供最低的室温磁噪声环境。它提供多层高磁导率金属屏蔽层以降低环境磁噪声,内部铁氧体屏蔽层,并具有内部场线圈系统,以精确控制屏蔽体积中心的磁场。
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MS-1L 磁屏蔽器 能量和功率传感器 Twinleaf LLC
轴向孔: 30 mm dia. 接入孔: 15 mm dia. 8 radial & 2 on each endcap 质量: 8 kg
MS-1L 磁屏蔽器是一种用于精确磁场控制的出色而紧凑的系统。它提供多层高磁导率金属屏蔽以降低环境磁场噪声,并具有内部场线圈系统,可精确控制屏蔽体中心的磁场。
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