通过原子层沉积法制备的NiO薄膜的特性-光电查

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通过原子层沉积法制备的NiO薄膜的特性

作者： Su-Hyeon Ji，Woo-Sung Jang，Jeong-Wook Son，Do-Heyoung Kim

机构： 全南国立大学化学工程学院

发布年份： 2018年

更新时间： 2025-04-03 11:19:52

关键词： 等离子体增强原子层沉积,原子层沉积,氧化镍,薄膜,双（乙基环戊二烯基）镍

摘要：

等离子体增强原子层沉积（PEALD）因其能够在任何类型的支持基板上以原子级别精确控制厚度而制备均匀且一致的薄膜而闻名。我们使用双（乙基环戊二烯基）镍（Ni(EtCp)2）和O2等离子体通过PEALD制备了氧化镍（NiO）薄膜。为了优化PEALD工艺，研究了前驱体脉冲时间、清洗时间、O2等离子体暴露时间和功率等参数的影响。优化的PEALD工艺具有100-325°C的宽沉积温度范围和每循环0.037±0.002 nm的生长速率。在具有高纵横比的硅基板上沉积的NiO薄膜表现出优异的一致性和与PEALD循环次数的高度线性关系，无核化延迟。

结论：

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实验方法及产品解析：

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