使用Scherrer、Williamson-Hall和尺寸-应变图方法对未掺杂和Se掺杂SnS薄膜的X射线衍射线轮廓分析
本文研究了不同Se掺杂浓度对SnS薄膜结构性质的影响。通过电化学方法在FTO基底上沉积了未掺杂和Se掺杂的SnS薄膜。XRD图谱证实所有合成的薄膜均为正交晶系。使用Debye-Scherrer技术估算了未掺杂和Se掺杂SnS薄膜的晶粒尺寸。此外，采用了假设均匀变形模型（UDM）、均匀变形应力模型（USDM）、均匀变形能量密度模型（UDEDM）以及尺寸-应变图方法（SSP）的Williamson-Hall方法的改进形式来计算合成薄膜的晶粒尺寸和晶格应变。这些方法的结果表明，随着SnS晶格中Se掺杂浓度的增加（最高至2.32%），晶粒尺寸增加，晶格应变减少。然而，进一步掺杂Se会导致晶格中Se2-和S2-离子有效离子半径的变化引起的晶格畸变，从而导致晶体质量和/或晶粒尺寸的下降。此外，结果表明，Williamson-Hall方法和SSP方法获得的粒径与TEM图像具有良好的一致性。
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DG数字消磁装置
能量和功率传感器
Twinleaf LLC
2: 2
脉冲宽度: 10ns
DG 通过施加振荡磁场使材料达到饱和，然后缓慢地将振荡幅度降至零，从而自动化磁屏蔽消磁过程。
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LAM300原子磁力计
能量和功率传感器
成都量视科技有限公司
灵敏度: <20fT/√Hz
动态范围: ±5nT
测量轴: Z轴、Y轴
LAM300原子磁力计是一种基于原子自旋交换技术的超高灵敏度磁场探测仪器，其通过原子自旋的精确控制，能够测量极为微弱的磁场变化，灵敏度高达fT/√Hz级别，为地磁场强度的几十亿分之一。
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MS-2 磁屏蔽
能量和功率传感器
Twinleaf LLC
屏蔽系数: 10⁶
磁噪声: 10 fT/Hz1/2
内部 3 轴磁场线圈: X/Y coil:
Calibration: 0.576 G/A = 57.6 nT/mA
Inductance: 33 µH
Z coil:
Calibration: 1.50 G/A = 150 nT/mA
Inductance: 140 µH
MS-2 磁屏蔽是精密磁场控制的理想系统。它提供多层高磁导率金属屏蔽以降低环境磁场噪声，并具有内部场线圈系统，可精确控制屏蔽体中心的磁场。
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MS-1LF 磁屏蔽
能量和功率传感器
Twinleaf LLC
内部3轴磁场线圈: X/Y 线圈
校准：0.81 G/A = 81 nT/mA
电感：22 μH
Z 线圈
校准：1.06 G/A = 106 nT/mA
电感：20 μH
内部梯度场线围: dZ/dz：4.02 nT/cm/mA
dZ/dy：3.55 nT/cm/mA
dZ/dx：3.55 nT/cm/mA
dY/dx：4.24 nT/cm/mA
dY/dy：5.18 nT/cm/mA
内部 Z轴二阶梯度线圈: d²Z/dz²：1.06 nT/cm²/mA
MS-1LF 磁屏蔽为超精密磁场测试和测量提供最低的室温磁噪声环境。它提供多层高磁导率金属屏蔽层以降低环境磁噪声，内部铁氧体屏蔽层，并具有内部场线圈系统，以精确控制屏蔽体积中心的磁场。
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MS-1L 磁屏蔽器
能量和功率传感器
Twinleaf LLC
轴向孔: 30 mm dia.
接入孔: 15 mm dia. 8 radial & 2 on each endcap
质量: 8 kg
MS-1L 磁屏蔽器是一种用于精确磁场控制的出色而紧凑的系统。它提供多层高磁导率金属屏蔽以降低环境磁场噪声，并具有内部场线圈系统，可精确控制屏蔽体中心的磁场。
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