使用氧化自由基进行低温硅氧化的研究
作者：
Yūki Katamune，Takanobu Negi，Shinichi Tahara，Kazuya Fukushima，Akira Izumi
机构：
九州工业大学青年研究者前沿研究学院，九州工业大学电气与电子工程系
发布年份：
2018年
更新时间：
2025-04-03 11:19:52
关键词：
低温硅氧化,氧化自由基,催化分解,钨丝,H2O/H2气氛
摘要：
本研究探讨了在混合H2O/H2气氛中，通过加热钨丝催化分解H2O前体生成的氧化物种对Si(100)基板表面氧化的影响。研究表明，在不超过350°C的基板温度下，可以形成厚度为1-2 nm的Si氧化层。通过X射线光电子能谱测量，发现当H2O/H2比例不超过0.2%时，钨丝的氧化被抑制，从而几乎没有钨污染的氧化层得以形成。
结论：
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实验方法及产品解析：
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名称
分类
制造商
PDF资料
参数
描述
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80 μm迷你尺寸单模标准耦合器/分离器
光纤耦合器
Opneti
工作波长: 1310, 1550
工作带宽: ±15
最大额外损耗: 0.15, 0.20
8 0 μm迷你尺寸单模标准耦合器/分路器，具有低额外损耗和高功率处理能力，广泛应用于光通信系统、光纤传感器和测试仪器。
-
100G 4S1 DWDM双带通滤波器
光纤耦合器
Opneti
通道波长: 1530.33~1560.61 (21~59 ITU Grid)
中心波长精度: ±0.02
通道间隔: 100GHz
100G 4S1 DWDM双通带滤波器，具有高解调通道隔离和低偏振依赖损耗，适用于DWDM系统和高速度馈送。
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无热AWG DWDM模块（AAWG）
光纤耦合器
Opneti
通道数: 40
中心波长: ITU Grid
ITU#: C21~C60
100G 40CH Athermal AWG DWDM Module (AAWG)是一款高性能的光纤通信模块，适用于数据中心互连和长距离传输。
-
7 8 0nm Tap PD Monitor （TPM）
光纤耦合器
Opneti
饱和功率: ≤3 dBm
正向电流: ≤10 mA
反向电压: ≤15 V
7 8 0nm Tap PD Monitor (TPM) 是一款专为光网络监测设计的高性能光电探测器，具有低插入损耗和高灵敏度，广泛应用于数据中心和通信系统。
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6 3 8nm TOSA激光二极管60mW
光纤耦合器
Opneti
中心波长: 638±5nm
光输出功率: ≥60mW
光谱宽度(RMS): 2(Typ.)nm
6 3 8nm TOSA Laser Diodes 60mW，适用于电信和数据通信的高性能激光二极管，输出功率≥60mW。
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