用于薄膜晶体管的高迁移率材料研究：非晶态铊-锌-锡氧化物半导体-光电查

用于薄膜晶体管的高迁移率材料研究：非晶态铊-锌-锡氧化物半导体

作者： Katsushi Kishimoto，Dong-Hee Lee，Iljoon Kang，Chang-Oh Jeong，Yasuaki Ishikawa，Hyang-Shik Kong

机构： 奈良科学技术大学院大学材料科学研究生院，三星显示有限公司显示研究中心

发布年份： 2015年

更新时间： 2025-04-03 11:19:52

关键词： 薄膜晶体管,铊-锌-锡氧化物,高迁移率,非晶态氧化物半导体,第一性原理模拟

摘要：

研究了铊-锌-锡氧化物（TlZnSnO）作为薄膜晶体管（TFT）通道材料的适用性。通过第一性原理模拟和与XZnSnO（X = Al, Ga 或 In）的共溅射实验，模拟了Tl0.4ZnSnO的电子有效质量（m*）为>0.153，比In0.4ZnSnO（0.246）小得多。实验中，In0.4ZnSnO TFT表现出32.0 cm2 V%1 s%1的迁移率；因此，预计Tl0.4ZnSnO TFT的迁移率约为50 cm2 V%1 s%1。此外，由于其氧化物空位比In相关氧化物半导体更稳定，铊相关氧化物半导体将提供更好的TFT稳定性。

结论：

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实验方法及产品解析：

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