基板温度对脉冲注入MOCVD制备的MoO2薄膜结构和形貌特性的影响
作者:
R. Narro-García,N. Méndez,L.M. Apátiga,J.P. Flores-De los Ríos,C.G. Nava-Dino,R. Quintero-Torres
机构:
奇瓦瓦自治大学工程学院,墨西哥国立自治大学应用物理与先进技术中心
发布年份:
2017年
更新时间:
2025-04-03 11:19:52
关键词:
MoO2薄膜,MOCVD,钼氧化物,催化活性
摘要:
二氧化钼(MoO2)因其优异的光学、电子和催化性能而具有重要的技术意义。在本研究中,MoO2薄膜被沉积在硅片和不锈钢基板上,基板温度不同。薄膜的生长是通过使用脉冲注入模式工作的垂直金属有机化学气相沉积反应器实现的。以混合在甲苯溶液中的六羰基钼粉末作为前驱体。一个有效的脉冲注入系统用于向反应器提供前驱体,通常用于内燃装置的燃料注入,通过计算机驱动系统控制注射器的脉冲间隔(注入频率),以精确地输送液体前驱体。实验参数提供了热力学上有利的条件,以在整个基板上均匀沉积薄固体薄膜。通过X射线衍射、拉曼散射光谱和扫描电子显微镜研究了MoO2薄膜的结构和形貌。此外,还进行了比较研究,将不锈钢基板的催化活性与MoO2薄膜的催化活性进行了比较。
结论:
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实验方法及产品解析:
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名称
分类
制造商
PDF资料
参数
描述
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DG数字消磁装置 能量和功率传感器 Twinleaf LLC
2: 2 脉冲宽度: 10ns
DG 通过施加振荡磁场使材料达到饱和,然后缓慢地将振荡幅度降至零,从而自动化磁屏蔽消磁过程。
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LAM300原子磁力计 能量和功率传感器 成都量视科技有限公司
灵敏度: <20fT/√Hz 动态范围: ±5nT 测量轴: Z轴、Y轴
LAM300原子磁力计是一种基于原子自旋交换技术的超高灵敏度磁场探测仪器,其通过原子自旋的精确控制,能够测量极为微弱的磁场变化,灵敏度高达fT/√Hz级别,为地磁场强度的几十亿分之一。
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MS-2 磁屏蔽 能量和功率传感器 Twinleaf LLC
屏蔽系数: 10⁶ 磁噪声: 10 fT/Hz1/2 内部 3 轴磁场线圈: X/Y coil: Calibration: 0.576 G/A = 57.6 nT/mA Inductance: 33 µH Z coil: Calibration: 1.50 G/A = 150 nT/mA Inductance: 140 µH
MS-2 磁屏蔽是精密磁场控制的理想系统。它提供多层高磁导率金属屏蔽以降低环境磁场噪声,并具有内部场线圈系统,可精确控制屏蔽体中心的磁场。
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MS-1LF 磁屏蔽 能量和功率传感器 Twinleaf LLC
内部3轴磁场线圈: X/Y 线圈 校准:0.81 G/A = 81 nT/mA 电感:22 μH Z 线圈 校准:1.06 G/A = 106 nT/mA 电感:20 μH 内部梯度场线围: dZ/dz:4.02 nT/cm/mA dZ/dy:3.55 nT/cm/mA dZ/dx:3.55 nT/cm/mA dY/dx:4.24 nT/cm/mA dY/dy:5.18 nT/cm/mA 内部 Z轴二阶梯度线圈: d²Z/dz²:1.06 nT/cm²/mA
MS-1LF 磁屏蔽为超精密磁场测试和测量提供最低的室温磁噪声环境。它提供多层高磁导率金属屏蔽层以降低环境磁噪声,内部铁氧体屏蔽层,并具有内部场线圈系统,以精确控制屏蔽体积中心的磁场。
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MS-1L 磁屏蔽器 能量和功率传感器 Twinleaf LLC
轴向孔: 30 mm dia. 接入孔: 15 mm dia. 8 radial & 2 on each endcap 质量: 8 kg
MS-1L 磁屏蔽器是一种用于精确磁场控制的出色而紧凑的系统。它提供多层高磁导率金属屏蔽以降低环境磁场噪声,并具有内部场线圈系统,可精确控制屏蔽体中心的磁场。
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