一种高线性度、8-GSa/s的GaAs HBT技术采样保持放大器

作者: Shaojun Li,Hongliang Lv,Yimen Zhang,Yuming Zhang,Yue Wu,Muhammad Asif
机构: 西安电子科技大学微电子学院,中国科学院微电子研究所
发布年份: 2018年
更新时间: 2025-04-03 11:19:52
关键词: 砷化镓,高速采样,采样保持,非线性失真,肖特基二极管,单片微波集成电路
摘要:

本文提出了一种高线性度的全差分8 GSa/s采样保持放大器(THA)。该THA采用2微米GaAs HBT技术设计和实现,目标是用于GHz时钟频率的采样系统中的快速操作。通过使用替代的开关发射极跟随器(SEF)作为开关级,并结合肖特基二极管以增强保持模式隔离和高速操作,设计了一个高性能的THA。实验结果表明,该THA的小信号-3 dB带宽和保持模式隔离分别优于3.6 GHz和40 dB。在0.5 GHz时,该原型的无杂散动态范围(SFDR)为43.9 dB,总谐波失真(THD)在第一奈奎斯特频率4 GHz范围内平均低于-40 dBc。该研究为未来直接采样系统中的宽带、高速、低失真模数转换器(ADC)提供了潜力。

结论:
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实验方法及产品解析:
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