激光诱导的黑磷MOSFET单事件瞬态-光电查

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激光诱导的黑磷MOSFET单事件瞬态

作者： C. Liang，R. Ma，K. Li，Y. Su，H. Gong，K. L. Ryder，P. Wang，A. L. Sternberg，E. X. Zhang，M. L. Alles，R. A. Reed，S. J. Koester，D. M. Fleetwood，R. D. Schrimpf

机构： 范德堡大学电气工程与计算机科学系，明尼苏达大学电气与计算机工程系

发布年份： 2018年

更新时间： 2025-04-03 11:19:52

关键词： 单事件效应,黑磷,瞬态表征,脉冲激光辐照

摘要：

激光诱导的单事件瞬态（SETs）在黑磷MOSFET中被观察到。SETs的幅度较小，这与薄膜全耗尽晶体管的预期一致。通过研究BP晶体管中测量的SETs的位置信赖性和偏置依赖性，探讨了电荷收集机制。当脉冲激光击中通道区域的中心时，漏极电流峰值达到最大。SETs的幅度对过驱电压的依赖性较小。当|VDS|增加时，漏源SET电流增加，这是由于分流效应。

结论：

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实验方法及产品解析：

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图片名称分类制造商 PDF资料参数描述

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