光电晶体管(Phototransistors)

更新时间:2026-08-18 09:10:04

分类: 光子器件

定义: 一种具有内部电流放大的高响应度半导体光电探测器

光电晶体管(Phototransistors) 详述

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目录

1. 诞生背景

光电晶体管是一种具有内部电流放大的高响应度半导体光电探测器。它的诞生背景主要是为了满足在光通信、光电开关、光电传感等领域中对于高灵敏度、高速度和高信噪比的需求。在半导体材料的发展和光电子技术的推动下,光电晶体管得以诞生并逐渐发展。

2. 相关理论或原理

光电晶体管的工作原理主要基于光电效应和晶体管的放大作用。当光照射到基区时,光子与半导体材料中的价带电子相互作用,产生电子-空穴对。这些电子-空穴对在电场的作用下分离,产生光生电流。由于晶体管的放大作用,这个光生电流被放大,从而实现了对光信号的高灵敏度检测。

3. 重要参数指标

光电晶体管的重要参数指标主要包括响应速度、灵敏度、暗电流和噪声等。响应速度是指光电晶体管从暗状态到饱和状态的转变时间,灵敏度是指光电晶体管对光信号的检测能力,暗电流是指在无光照射情况下的漏电流,噪声是指在信号检测过程中的干扰。

4. 应用

光电晶体管广泛应用于光通信、光电开关、光电传感等领域。在光通信中,光电晶体管可以用于光信号的接收和检测;在光电开关中,光电晶体管可以用于控制电流的开关;在光电传感中,光电晶体管可以用于光强度、光波长等参数的检测。

5. 分类

根据结构和工作原理,光电晶体管主要可以分为PNP型和NPN型两种。PNP型光电晶体管的发射极和集电极是P型半导体,基区是N型半导体;NPN型光电晶体管的发射极和集电极是N型半导体,基区是P型半导体。

6. 未来发展趋势

随着光电子技术的发展,光电晶体管的性能将进一步提高,应用领域将进一步扩大。未来的发展趋势主要是向高速度、高灵敏度、低噪声和低功耗方向发展。

7. 相关产品及生产商

目前市场上主要的光电晶体管产品有Honeywell的SDP8405系列、Vishay的TEPT5600系列等。这些产品在光通信、光电开关、光电传感等领域有广泛的应用。

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图片 名称 分类 制造商 PDF资料 参数 描述
  • AM2520P3C03 光电晶体管 AM2520P3C03 光电晶体管 kingbrightusa 集电极-发射极电压: 30V 发射极-集电极电压: 5V 功耗(25°C自由空气温度): 100mW

    AM2520P3C03是一款采用NPN硅光电晶体管芯片的光电晶体管,具有高灵敏度和可靠性,适用于红外应用系统、光电开关、光电检测电路和传感器技术。

  • BPW76A, BPW76B 光电晶体管 BPW76A, BPW76B 光电晶体管 Vishay Intertechnology 集电极基极电压: 80V 集电极发射极电压: 70V 发射极基极电压: 5V

    BPW76A和BPW76B是高辐射灵敏度的硅NPN光电晶体管,采用TO-18封装,具有平面玻璃窗口,适用于可见光和近红外辐射的检测。

  • T5096P 光电晶体管 T5096P 光电晶体管 Vishay Intertechnology 集电极发射极击穿电压: 85V 集电极暗电流: <1nA - 50nA 峰值灵敏度波长: 910nm

    T5096P是一款专为光电耦合应用设计的外延光电晶体管。尽管尺寸小巧,但其具有高灵敏度和在饱和状态下驱动高电流的能力。

  • MTD8000N4-T 光电晶体管 MTD8000N4-T 光电晶体管 Marktech Optoelectronics 峰值灵敏度波长: 880nm 集电极-发射极电压: 30V 发射极-集电极电压: 5V

    MTD8000N4-T是一款封装在TO-18金属圆顶封装中的光电晶体管,具有高可靠性和高灵敏度,适用于多种光电应用场景。

  • PT008-SMC 光电晶体管 PT008-SMC 光电晶体管 牛尾 下降时间: 20 us 安装类型: Chip, Leaded

    来自Ushio Inc.的PT008-SMC是具有集电极发射极电压(击穿)30V、集电极暗电流200nA、集电极发射极电压(饱和)0.3V、发射极集电极电压(击穿)5V、导通状态集电极电流10mA的光电晶体管。有关PT008-SMC的更多详细信息,请参见下文。

  • PT010-05 光电晶体管 PT010-05 光电晶体管 牛尾 下降时间: 8 us 安装类型: Chip, Leaded

    Ushio Inc.的PT010-05是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为10 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.3 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-05的更多详细信息,请参阅下文。

  • L14G1, L14G2, L14G3 密封硅光电晶体管 光电晶体管 L14G1, L14G2, L14G3 密封硅光电晶体管 光电晶体管 Light in Motion 工作温度: -65至+125°C 存储温度: -65至+150°C 焊接温度(铁焊): 240°C,持续5秒

    L14G1、L14G2和L14G3是安装在TO-18封装中的硅光电晶体管,具有窄角接收特性。通过连接基极和集电极引线,这些器件可以用作光电二极管。

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  • SFH 3710 光电晶体管 SFH 3710 光电晶体管 欧司朗 应用: For control and drive circuits, Exposure meter for daylight and artificial light, Sensor for backlight-dimming 电容: 4 pF

    来自OSRAM的SFH 3710是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为5.5 V,集电极暗电流为3至50 nA,集电极发射极电压(饱和)为100 MV,发射极集电极电压(击穿)为0.5 V,波长(光谱灵敏度)为350至950 nm.有关SFH 3710的更多详细信息,请参阅下文。

  • KPT081M31 光电晶体管 KPT081M31 光电晶体管 Kyosemi Opto America Corp APD反向集电极-发射极电压: 20V APD反向发射极-集电极电压: 5V 集电极耗散功率: 75mW

    KPT081M31是一款NPN硅光电晶体管,采用透明环氧树脂封装,具有低漏电流特性,适用于多种光电应用场景。

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