ElFys PD25s 黑硅光电二极管 170‑1100nm高精度光电探测器

发布时间:2026-09-14 15:46:09 阅读数: 96

ElFys PD25s 系列光电探测器基于 ElFys 专利黑硅诱导结技术,实现从深紫外、可见光到近红外波段优异的光谱响应性能,适用于各类高精度光度测量场景。该系列细分 H、M、HG、MG 型号,分别针对低电容、低暗电流、保护环高压应用进行优化,提供灵活封装方案,满足不同系统设计需求。

产品核心特点

  • PD25s 系列采用黑硅诱导结专利芯片技术,光谱覆盖 170‑1100 nm,拓展传统硅光电二极管的紫外响应能力。不同子型号具备差异化性能取向,方便工程师按需选型。
  • 宽光谱响应:覆盖深紫外、可见光至近红外(170‑1100 nm),紫外波段灵敏度显著提升
  • PD25sH / PD25sHG(H 型号):优化低电容特性,适合高速检测应用
  • PD25sM / PD25sMG(M 型号):实现低暗电流输出,降低测量本底噪声
  • 带 G 后缀型号(HG / MG):内置保护环(Guard ring)结构,支持高反向偏压工作,同时维持低暗电流水平
  • 5 mm × 5 mm 光敏面,6.0 × 6.0 mm 芯片尺寸;带保护环版本芯片尺寸为 6.3 × 6.3 mm
  • 多种封装形式可选:裸芯片、PCB 演示板、TO‑8 金属管壳;可配置无窗口或肖特紫外玻璃窗口,支持定制窗口、滤光片及定制化封装
  • 角度响应特性优异,大入射角下依然保持较高外量子效率,适配非垂直入射光学系统

型号区分总览

型号光敏面芯片尺寸最大反向电压保护环可选封装窗口选项
PD25sH5.0 × 5.0 mm6.0 × 6.0 mm20 V无裸芯片、PCB、TO‑8无窗口 / 肖特紫外玻璃
PD25sM5.0 × 5.0 mm6.0 × 6.0 mm20 V无裸芯片、PCB、TO‑8无窗口 / 肖特紫外玻璃
PD25sHG5.0 × 5.0 mm6.3 × 6.3 mm100 V有裸芯片、PCB无窗口
PD25sMG5.0 × 5.0 mm6.3 × 6.3 mm100 V有裸芯片、PCB无窗口

关键光电性能

型号光谱响应范围峰值响应波长暗电流 (VR=10mV) 最大值零偏电容 (100 kHz) 典型值并联电阻最小值NEP 噪声等效功率最大值
PD25sH / PD25sHG170‑1100 nm1040 nm700 pA110 pF14 MΩ4.4×10⁻¹⁴ W/√Hz
PD25sM / PD25sMG170‑1100 nm1010 nm30 pA370 pF330 MΩ9.2×10⁻¹⁵ W/√Hz

主要应用领域

高精度光度测量:紫外‑可见光‑近红外宽波段光度检测、光谱测量系统

紫外检测设备:深紫外探测、紫外辐射监测、紫外实验测量

光学仪器与科研实验:实验室光谱仪、光学测试平台、弱光探测系统

工业光学检测:工业在线光强监控、材料光学特性分析

OEM 仪器集成:可裸芯片、PCB 板载、TO‑8 封装嵌入各类分析仪器

厂商介绍

ElFys 是来自芬兰的光电子器件企业,总部位于埃斯波,专注黑硅光电探测器技术研发,拥有黑硅诱导结相关专利,提供标准光电二极管以及定制化芯片、封装解决方案,面向科研机构、仪器设备厂商供货。

FAQ

Q1:H 型号和 M 型号 PD25s 核心差异是什么?

A:PD25s‑H 系列主打低电容,适合高速光电采集;PD25s‑M 系列主打低暗电流,更适合微弱光检测,降低系统噪声基底。

Q2:后缀 G 代表什么功能?

A:G 代表 Guard ring 保护环设计,支持最高 100 V 反向偏置,高压条件下依旧抑制暗电流,适合高压偏置探测场景。

Q3:PD25s 紫外使用有哪些注意事项?

A:波长低于 240 nm 深紫外长期照射会造成探测器性能衰减,衰减程度取决于总曝光剂量;窗口材料选型会改变实际光谱响应,设计时需要综合评估。

Q4:PD25s 可以提供哪些封装?

A:包含裸芯片、PCB 演示板、TO‑8 封装;PCB 支持表贴、通孔、引线焊接;TO‑8 标配肖特紫外玻璃窗口,也可定制其它窗口、增透膜。

选型提示

  1. 高速测量场景优先选择 H/HG 型号,弱光低噪声测量优先 M/MG 型号;需要高压反向偏置,选择带 G 保护环版本。
  2. TO‑8 封装仅提供 PD25sH 与 PD25sM,HG/MG 保护环版本无 TO‑8 封装,仅支持裸芯片与 PCB 载体。
  3. PCB 版本中,不带保护环版本引脚为阳极 AN、阴极 CAT;带保护环版本多出 GR 保护环引脚,电路设计时需要完成保护环接地处理。

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