武汉光谷量子技术，国产高性能 InGaAs 雪崩光电二极管芯片
发布时间：2026-08-07 16:17:41 阅读数： 142
武汉光谷量子技术有限公司，为国内高速半导体光芯片、光电探测芯片核心研发制造商。主营 InGaAs‑APD 雪崩光电芯片、PIN 光电探测器裸芯片，产品面向光纤通信、光纤传感、光谱检测、激光雷达、工业光电检测等光电领域。
企业专注高性能光电探测芯片研发、光信号接收优化、高速光电探测技术，打造精准、稳定、高可靠性的光子接收元器件。
公司芯片技术覆盖 5G 基站前传、气体传感、长距离光纤通信、射频光传输、外差探测、机器视觉、激光泵浦、材料加工、遥感探测、自动驾驶、军工光电、精密测试测量、前沿光子科研等众多方向。
2.5Gbps InGaAs APD 光电二极管芯片 — 光纤通信与 OTDR 探测专用芯片
这款 2.5Gbps InGaAs‑APD 芯片采用正照平面型裸芯片结构，PN 电极异面排布。芯片光敏面尺寸 50μm，具备宽广的感光接收面积，拥有优秀的响应速度与稳定波长工作特性。
该雪崩光电芯片拥有窄带宽噪声、高边模抑制能力，实现优质光谱性能；输出性能平稳，适配动态高速信号接收；芯片整体结构可靠，适配各类封装工艺。
芯片可搭载于光纤通信模组，适配‑40℃~+85℃宽温工作环境；能够配合各类控制系统完成高速光电信号采集。裸芯片形式便于客户二次封装，多用于光纤通信设备、光时域反射仪 OTDR 模块、光网络单元、扫描成像仪器。
D‑10A40F‑01 10Gbps InGaAs APD 光电二极管芯片 — 5G 前传与 10G‑PON 高速接收芯片
型号 D‑10A40F‑01 属于台面式正入射雪崩光电二极管裸芯片，工作适配通信波段 1550nm，光敏面直径 40μm。
器件工作于光电导模式，主打高速、低噪声光电探测；拥有高响应度、低寄生电容、极低暗电流、低噪声等效功率，大幅提升接收灵敏度与信号品质；芯片过剩噪声系数低，探测精度出色，以裸片形式对外供货。
产品适合 10Gbps 光收发组件、10G‑PON 无源光网络、5G 基站前传光模块、激光雷达测距、空间光通信、遥感监测、工业机器视觉以及安防军工光电系统。
如若您有样品申领、参数定制、批量采购相关需求，欢迎联系我们的光电查技术团队。
